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三星明年完成3nm GAA工艺开发性能猛增35%_TechWeb

时间:2019-09-11 13:22:53
核心提示:尽管日本严格控制半导体材料对周三星芯片和面板研发和生产的影响,但周三星上周在日本举行了周三星晶片合同行业论坛(SamsungWaferContracts...

尽管日本严格控制半导体材料对周三星芯片和面板研发和生产的影响,但周三星上周在日本举行了周三星晶片合同行业论坛(SamsungWaferContractsIndustryForum)SFF会议,宣布其新一代工艺的进展,包括明年将开发的3nm工艺。

三星在10nm、7nm和5nm节点上的进展将比台积电晚,因此台积电几乎接管了目前7nm芯片的订单,三星只获得了一些ibm、nvidia和高通的订单。然而,三星一直专注于未来的3nm工艺,预计将在2021年大规模生产。

在3nm节点,三星将从FinFET晶体管转移到GAA环绕栅晶体管工艺,其中3nm工艺使用第一代GAA晶体管,官方称为3gae工艺。

据官员介绍,基于新的gaa晶体管结构,三星利用纳米芯片器件制造了多桥沟道场效应晶体管(multi-bridge-channelfet,多桥-通道场效应管),它可以显著提高晶体管的性能,主要取代FinFET晶体管技术。

此外,mbcfet技术还可以与现有的FinFET制造工艺技术和设备兼容,以加快工艺开发和生产。

在日本的SFF会议上,三星还宣布了3nm工艺的具体指标。与目前的7nm工艺相比,3nm工艺可使核心面积减少45%,功耗减少50%,性能提高35%。

在工艺进展方面,三星已于今年4月在韩国华城的s3线工厂生产了7nm芯片。4nm工艺开发将于今年完成,3nm工艺开发将于2020年完成。

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